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APTCV60TLM99T3G

APTCV60TLM99T3G

僅供參考

型號 APTCV60TLM99T3G
PNEDA編號 APTCV60TLM99T3G
描述 POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,516
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 3 - 六月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTCV60TLM99T3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTCV60TLM99T3G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTCV60TLM99T3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Three Level Inverter - IGBT, FET
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
功率-最大90W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 30A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce1.6nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

10mA

輸入電容(Cies)@ Vce

11nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

功率-最大

145W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

890pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

IRG5K200HF12B

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

功率-最大

1250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

26nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

600A

功率-最大

1000W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

輸入電容(Cies)@ Vce

18.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

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