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FDG6321C-F169

FDG6321C-F169

僅供參考

型號 FDG6321C-F169
PNEDA編號 FDG6321C-F169
描述 INTEGRATED CIRCUIT
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,118
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 2 - 七月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDG6321C-F169資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDG6321C-F169
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDG6321C-F169, FDG6321C-F169數據表 (總頁數: 9, 大小: 241.1 KB)
PDFFDG6321C-F169數據表 封面
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FDG6321C-F169規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)500mA (Ta), 410mA (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds50pF @ 10V, 62pF @ 10V
功率-最大300mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88/SC70-6/SOT-363

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 13V

功率-最大

2.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

73A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

129nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6010pF @ 25V

功率-最大

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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TrenchFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.15W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

475pF @ 25V

功率-最大

25W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 6mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

540nC @ 10V

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