SQJ962EP-T1-GE3
僅供參考
型號 | SQJ962EP-T1-GE3 |
PNEDA編號 | SQJ962EP-T1-GE3 |
描述 | MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO |
制造商 | Vishay Siliconix |
單價 | 請求報價 |
庫存 | 3,492 |
倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
預計交貨 | 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸) |
Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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SQJ962EP-T1-GE3資源
品牌 | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
制造商零件編號 | SQJ962EP-T1-GE3 |
類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET,MOSFET-陣列 |
數據表 |
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SQJ962EP-T1-GE3規格
制造商 | Vishay Siliconix |
系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
FET類型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET功能 | Logic Level Gate |
漏極至源極電壓(Vdss) | 60V |
電流-25°C時的連續漏極(Id) | 8A |
Rds On(Max)@ Id,Vgs | 60mOhm @ 4.3A, 10V |
Vgs(th)(最大)@ ID | 2.5V @ 250µA |
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 14nC @ 10V |
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds | 475pF @ 25V |
功率-最大 | 25W |
工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
包裝/箱 | PowerPAK® SO-8 Dual |
供應商設備包裝 | PowerPAK® SO-8 Dual |
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