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FDB8832

FDB8832

僅供參考

型號 FDB8832
PNEDA編號 FDB8832
描述 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 31,386
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 3 - 五月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDB8832資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDB8832
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDB8832, FDB8832數據表 (總頁數: 9, 大小: 421.34 KB)
PDFFDB8832數據表 封面
FDB8832數據表 頁面 2 FDB8832數據表 頁面 3 FDB8832數據表 頁面 4 FDB8832數據表 頁面 5 FDB8832數據表 頁面 6 FDB8832數據表 頁面 7 FDB8832數據表 頁面 8 FDB8832數據表 頁面 9

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FDB8832規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)34A (Ta), 80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs265nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11400pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263AB
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

51A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2744pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

117W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

59A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 35.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

114nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2450pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRF7807D1PBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

FETKY™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

77A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2410pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

88W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

138nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4930pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

69.4W (Tc)

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