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IRFS59N10DTRRP

IRFS59N10DTRRP

僅供參考

型號 IRFS59N10DTRRP
PNEDA編號 IRFS59N10DTRRP
描述 MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,292
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 14 - 七月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRFS59N10DTRRP資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRFS59N10DTRRP
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRFS59N10DTRRP規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)59A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs114nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2450pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.8W (Ta), 200W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 2.75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

23W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2130pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

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FET類型

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-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

211nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13800pF @ 60V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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