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EFC6601R-TR

EFC6601R-TR

僅供參考

型號 EFC6601R-TR
PNEDA編號 EFC6601R-TR
描述 MOSFET 2N-CH EFCP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,060
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EFC6601R-TR資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EFC6601R-TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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EFC6601R-TR規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate, 2.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs48nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-XFBGA, FCBGA
供應商設備包裝EFCP2718-6CE-020

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2 P-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

405pF @ 10V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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TrenchFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2.4W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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FET類型

2 N-Channel (Half Bridge)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A, 15.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1535pF @ 15V

功率-最大

1.98W, 4.16W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 15V

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