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SI7948DP-T1-GE3

SI7948DP-T1-GE3

僅供參考

型號 SI7948DP-T1-GE3
PNEDA編號 SI7948DP-T1-GE3
描述 MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,308
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI7948DP-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI7948DP-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI7948DP-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs75mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大1.4W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包裝PowerPAK® SO-8 Dual

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.1nC @ 4V

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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