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EC4H09C-TL-H

EC4H09C-TL-H

僅供參考

型號 EC4H09C-TL-H
PNEDA編號 EC4H09C-TL-H
描述 RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008
制造商 ON Semiconductor
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庫存 4,914
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 7 - 六月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EC4H09C-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EC4H09C-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
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EC4H09C-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)3.5V
頻率-過渡26GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.3dB @ 2GHz
增益15dB
功率-最大120mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 5mA, 1V
當前-集電極(Ic)(最大值)40mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-UFDFN
供應商設備包裝4-ECSP1008

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8.4dB

功率-最大

15W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

10.3dB ~ 11.65dB

功率-最大

225W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 500mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

工作溫度

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功率-最大

5W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

750mA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

增益

-

功率-最大

625mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

增益

15.5dB

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 15mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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