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EC4H09C-TL-H數據表

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ON Semiconductor
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EC4H09C-TL-H

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3.5V

頻率-過渡

26GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB @ 2GHz

增益

15dB

功率-最大

120mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

4-UFDFN

供應商設備包裝

4-ECSP1008