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DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13

僅供參考

型號 DMG8822UTS-13
PNEDA編號 DMG8822UTS-13
描述 MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 2,538
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 11 - 七月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DMG8822UTS-13資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DMG8822UTS-13
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
DMG8822UTS-13, DMG8822UTS-13數據表 (總頁數: 6, 大小: 150.57 KB)
PDFDMG8822UTS-13數據表 封面
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DMG8822UTS-13規格

制造商Diodes Incorporated
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.9A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID900mV @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.6nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds841pF @ 10V
功率-最大870mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

410mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

995mOhm @ 410mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

270mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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Surface Mount

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FET類型

-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1030pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

278A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 125A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

700nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20000pF @ 25V

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