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SI1903DL-T1-GE3

SI1903DL-T1-GE3

僅供參考

型號 SI1903DL-T1-GE3
PNEDA編號 SI1903DL-T1-GE3
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,920
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 7 - 六月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SI1903DL-T1-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SI1903DL-T1-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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SI1903DL-T1-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)410mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs995mOhm @ 410mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.8nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大270mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-70-6 (SOT-363)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

2.5W

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.7mOhm @ 25A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 15V

功率-最大

8W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

39A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 2.7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

259nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7000pF @ 25V

功率-最大

250W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

333A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 166.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1184nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40800pF @ 25V

功率-最大

1250W

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.6mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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