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DF1000R17IE4BOSA1

DF1000R17IE4BOSA1

僅供參考

型號 DF1000R17IE4BOSA1
PNEDA編號 DF1000R17IE4BOSA1
描述 IGBT MODULE 1700V 1000A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DF1000R17IE4BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DF1000R17IE4BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
DF1000R17IE4BOSA1, DF1000R17IE4BOSA1數據表 (總頁數: 10, 大小: 571.02 KB)
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DF1000R17IE4BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大6250W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.45V @ 15V, 1000A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce81nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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-

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IGBT類型

Trench

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

215A

功率-最大

690W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

6mA

輸入電容(Cies)@ Vce

10.77nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

E3

供應商設備包裝

E3

制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

Trench

配置

Three Phase Inverter with Brake

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

113A

功率-最大

450W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

800µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.6nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

E3

供應商設備包裝

E3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

320W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

7PM-GA

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制造商

Infineon Technologies

系列

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

575W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

13.7nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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