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FMG2G50US120

FMG2G50US120

僅供參考

型號 FMG2G50US120
PNEDA編號 FMG2G50US120
描述 IGBT POWER MOD 1200V 50A 7PM-GA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,622
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FMG2G50US120資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FMG2G50US120
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FMG2G50US120, FMG2G50US120數據表 (總頁數: 7, 大小: 463.01 KB)
PDFFMG2G50US120數據表 封面
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FMG2G50US120規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
功率-最大320W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)3mA
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱7PM-GA
供應商設備包裝7PM-GA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2154pF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

350W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

27nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

440A

功率-最大

1800W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

24.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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制造商

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

功率-最大

176W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.15nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SP3

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

480A

功率-最大

2170W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

38nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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