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CP302-MPSH10-WN

CP302-MPSH10-WN

僅供參考

型號 CP302-MPSH10-WN
PNEDA編號 CP302-MPSH10-WN
描述 RF TRANS NPNUHF/VHF
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 6,372
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 22 - 七月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CP302-MPSH10-WN資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CP302-MPSH10-WN
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
CP302-MPSH10-WN, CP302-MPSH10-WN數據表 (總頁數: 5, 大小: 620.51 KB)
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CP302-MPSH10-WN規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
頻率-過渡650MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大350mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 4mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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增益

12dB

功率-最大

125mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-523

供應商設備包裝

SOT-523

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NXP

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

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功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 14mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2.5dB @ 800MHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 2mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

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CEL

系列

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NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.9dB @ 2GHz

增益

7.5dB

功率-最大

125mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

增益

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功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

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