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NE677M04-T2-A

NE677M04-T2-A

僅供參考

型號 NE677M04-T2-A
PNEDA編號 NE677M04-T2-A
描述 RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343F
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 5,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 8 - 六月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NE677M04-T2-A資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NE677M04-T2-A
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
NE677M04-T2-A, NE677M04-T2-A數據表 (總頁數: 16, 大小: 4,490.1 KB)
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NE677M04-T2-A規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)6V
頻率-過渡15GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.7dB @ 2GHz
增益16dB
功率-最大205mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce75 @ 20mA, 3V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-343F
供應商設備包裝SOT-343F

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

1.2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

SOT-89

MT3S113TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.45dB @ 1GHz

增益

12.5dB

功率-最大

900mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 30mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

3-SMD, Flat Leads

供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

16V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

9.5dB

功率-最大

2W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 50mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

55V

頻率-過渡

30MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

14dB

功率-最大

233W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1.4A, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

工作溫度

200°C (TJ)

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