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BFG67,215

BFG67,215

僅供參考

型號 BFG67,215
PNEDA編號 BFG67-215
描述 RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,228
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 19 - 七月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFG67資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFG67,215
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFG67, BFG67數據表 (總頁數: 14, 大小: 287.4 KB)
PDFBFG67數據表 封面
BFG67數據表 頁面 2 BFG67數據表 頁面 3 BFG67數據表 頁面 4 BFG67數據表 頁面 5 BFG67數據表 頁面 6 BFG67數據表 頁面 7 BFG67數據表 頁面 8 BFG67數據表 頁面 9 BFG67數據表 頁面 10 BFG67數據表 頁面 11

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BFG67規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)10V
頻率-過渡8GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
增益-
功率-最大380mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 15mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-253-4, TO-253AA
供應商設備包裝SOT-143B

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

TO-92-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

增益

25dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-72-3 Metal Can

供應商設備包裝

TO-72

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制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

6GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

11dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 5mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-75, SOT-416

供應商設備包裝

SSM

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

增益

16dB

功率-最大

205mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 20mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-343F

供應商設備包裝

SOT-343F

KST10MTF

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ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

650MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-23-3

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