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JANTXV2N4957

JANTXV2N4957

僅供參考

型號 JANTXV2N4957
PNEDA編號 JANTXV2N4957
描述 RF TRANS PNP 30V 30MA TO72
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,606
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 11 - 五月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

JANTXV2N4957資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號JANTXV2N4957
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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JANTXV2N4957規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
晶體管類型PNP
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)3.5dB @ 450MHz
增益25dB
功率-最大200mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-72-3 Metal Can
供應商設備包裝TO-72

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增益

9dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Microsemi

制造商

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系列

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9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

15dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

14dB ~ 26dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 8mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3V

頻率-過渡

14GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2dB @ 2GHz

增益

-

功率-最大

90mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 20mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

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