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BFG410W,115

BFG410W,115

僅供參考

型號 BFG410W,115
PNEDA編號 BFG410W-115
描述 RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,722
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 29 - 六月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFG410W資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFG410W,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFG410W, BFG410W數據表 (總頁數: 13, 大小: 371.54 KB)
PDFBFG410W數據表 封面
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BFG410W規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)4.5V
頻率-過渡22GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
增益21dB
功率-最大54mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 10mA, 2V
當前-集電極(Ic)(最大值)12mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝CMPAK-4

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz

增益

-

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

18mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

6-TSSOP

MT3S111(TE85L,F)

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制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

11.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

700mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 30mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Renesas Electronics America Inc.

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頻率-過渡

1.15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3.5dB @ 100MHz

增益

27dB ~ 30dB

功率-最大

85mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

22dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 15mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB

功率-最大

70W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 250mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

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