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BFP183E7764HTSA1

BFP183E7764HTSA1

僅供參考

型號 BFP183E7764HTSA1
PNEDA編號 BFP183E7764HTSA1
描述 RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 51,438
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFP183E7764HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFP183E7764HTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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BFP183E7764HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡8GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益22dB
功率-最大250mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 15mA, 8V
當前-集電極(Ic)(最大值)65mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-253-4, TO-253AA
供應商設備包裝PG-SOT143-4

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 2A, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 7mA, 6V

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15mA

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 200MHz

增益

20dB ~ 24dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 2mA, 10V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

增益

15dB

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz

增益

20dB ~ 23dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

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