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BCR198SH6827XTSA1

BCR198SH6827XTSA1

僅供參考

型號 BCR198SH6827XTSA1
PNEDA編號 BCR198SH6827XTSA1
描述 TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 24 - 五月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCR198SH6827XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCR198SH6827XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
BCR198SH6827XTSA1, BCR198SH6827XTSA1數據表 (總頁數: 11, 大小: 867.26 KB)
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BCR198SH6827XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)47kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡190MHz
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝PG-SOT363-6

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50V

電阻-基本(R1)

13kOhms, 130Ohms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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當前-集電極截止(最大值)

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電阻-基本(R1)

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電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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