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IMD10AMT1G

IMD10AMT1G

僅供參考

型號 IMD10AMT1G
PNEDA編號 IMD10AMT1G
描述 TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,420
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 10 - 六月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IMD10AMT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IMD10AMT1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
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IMD10AMT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)13kOhms, 130Ohms
電阻-發射極基(R2)10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大285mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝SC-74R

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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功率-最大

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Surface Mount

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晶體管類型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 700mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 60V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

1µA, 100nA

頻率-過渡

185MHz

功率-最大

600mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74, SOT-457

供應商設備包裝

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制造商

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

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系列

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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