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APTGT75DA120D1G

APTGT75DA120D1G

僅供參考

型號 APTGT75DA120D1G
PNEDA編號 APTGT75DA120D1G
描述 IGBT 1200V 110A 357W D1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 4 - 六月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT75DA120D1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT75DA120D1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
APTGT75DA120D1G, APTGT75DA120D1G數據表 (總頁數: 3, 大小: 185.23 KB)
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APTGT75DA120D1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)110A
功率-最大357W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止(最大值)4mA
輸入電容(Cies)@ Vce5345nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D1
供應商設備包裝D1

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3.03V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

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輸入電容(Cies)@ Vce

1.07nF @ 30V

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Standard

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輸入電容(Cies)@ Vce

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

600µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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