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VS-ETL015Y120H

VS-ETL015Y120H

僅供參考

型號 VS-ETL015Y120H
PNEDA編號 VS-ETL015Y120H
描述 IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,642
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

VS-ETL015Y120H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號VS-ETL015Y120H
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
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VS-ETL015Y120H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型Trench
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)22A
功率-最大89W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.03V @ 15V, 15A
當前-集電極截止(最大值)75µA
輸入電容(Cies)@ Vce1.07nF @ 30V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱EMIPAK-2B
供應商設備包裝EMIPAK-2B

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

29nF @ 10V

輸入

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350µA

輸入電容(Cies)@ Vce

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

1.1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

0.9nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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包裝/箱

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輸入電容(Cies)@ Vce

21nF @ 25V

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