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APT50GT120B2RDLG

APT50GT120B2RDLG

僅供參考

型號 APT50GT120B2RDLG
PNEDA編號 APT50GT120B2RDLG
描述 IGBT 1200V 106A 694W TO-247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT50GT120B2RDLG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT50GT120B2RDLG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT50GT120B2RDLG規格

制造商Microsemi Corporation
系列Thunderbolt IGBT®
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)106A
電流-集電極脈沖(Icm)150A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.7V @ 15V, 50A
功率-最大694W
開關能量3585µJ (on), 1910µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用240nC
25°C時的Td(開/關)23ns/215ns
測試條件800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3 Variant
供應商設備包裝-

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160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 40A

功率-最大

283W

開關能量

456µJ (on), 411µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

226nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 100A

功率-最大

520W

開關能量

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輸入類型

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門禁費用

350nC

25°C時的Td(開/關)

60ns/200ns

測試條件

480V, 100A, 2.4Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 15V, 18A

功率-最大

100W

開關能量

260µJ (on), 3.45mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

50nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/540ns

測試條件

480V, 18A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 10A

功率-最大

115W

開關能量

120µJ (on), 270µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

28nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/91ns

測試條件

400V, 10A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

96ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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