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STGW10M65DF2

STGW10M65DF2

僅供參考

型號 STGW10M65DF2
PNEDA編號 STGW10M65DF2
描述 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,814
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGW10M65DF2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGW10M65DF2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGW10M65DF2, STGW10M65DF2數據表 (總頁數: 16, 大小: 936.2 KB)
PDFSTGW10M65DF2數據表 封面
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STGW10M65DF2規格

制造商STMicroelectronics
系列M
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電流-集電極脈沖(Icm)40A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 10A
功率-最大115W
開關能量120µJ (on), 270µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用28nC
25°C時的Td(開/關)19ns/91ns
測試條件400V, 10A, 22Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)96ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 12A

功率-最大

167W

開關能量

55µJ (on), 50µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 48A

功率-最大

300W

開關能量

1.7mJ (on), 1mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

150nC

25°C時的Td(開/關)

70ns/140ns

測試條件

400V, 48A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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制造商

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

330V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

220A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 70A

功率-最大

149W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

49nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

23ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電流-集電極脈沖(Icm)

24A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 8A

功率-最大

70W

開關能量

1.37mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

53nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/450ns

測試條件

600V, 8A, 81Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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