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2SD1012G-SPA

2SD1012G-SPA

僅供參考

型號 2SD1012G-SPA
PNEDA編號 2SD1012G-SPA
描述 TRANS NPN 15V 0.7A SPA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,686
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SD1012G-SPA資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SD1012G-SPA
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SD1012G-SPA, 2SD1012G-SPA數據表 (總頁數: 10, 大小: 717.38 KB)
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2SD1012G-SPA規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)700mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic80mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce280 @ 50mA, 2V
功率-最大250mW
頻率-過渡250MHz
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱3-SIP
供應商設備包裝3-SPA

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制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

160V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 1A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 15A, 2V

功率-最大

5W

頻率-過渡

-

工作溫度

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

220V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 10mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-23

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制造商

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系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

250nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 30mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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