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2SA1419S-TD-E

2SA1419S-TD-E

僅供參考

型號 2SA1419S-TD-E
PNEDA編號 2SA1419S-TD-E
描述 TRANS PNP 160V 1.5A SOT89-3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 25 - 五月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SA1419S-TD-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SA1419S-TD-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SA1419S-TD-E, 2SA1419S-TD-E數據表 (總頁數: 7, 大小: 348.04 KB)
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2SA1419S-TD-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)160V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 50mA, 500mA
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 100mA, 5V
功率-最大500mW
頻率-過渡120MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝PCP

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

250 @ 1mA, 5V

功率-最大

225mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 100µA, 1mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 1V

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頻率-過渡

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 10V

功率-最大

7W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

供應商設備包裝

TO-126-3

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制造商

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系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 400mA, 10V

功率-最大

25W

頻率-過渡

5MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1A, 2V

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工作溫度

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