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2SC5536A-TL-H

2SC5536A-TL-H

僅供參考

型號 2SC5536A-TL-H
PNEDA編號 2SC5536A-TL-H
描述 RF TRANS NPN 12V 1.7GHZ 3SSFP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,678
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 22 - 七月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SC5536A-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SC5536A-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
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2SC5536A-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡1.7GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.8dB @ 150MHz
增益16dB
功率-最大100mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 3mA, 2V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-81
供應商設備包裝3-SSFP

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.6dB @ 900MHz

增益

18.5dB

功率-最大

450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

SOT-323-3

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

增益

12dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

18mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

SOT-323-3

SMMBTH10-4LT3G

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

800MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

225mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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-

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz

增益

11dB ~ 13dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 2.7V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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