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KSC2786OBU

KSC2786OBU

僅供參考

型號 KSC2786OBU
PNEDA編號 KSC2786OBU
描述 RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,322
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

KSC2786OBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號KSC2786OBU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
KSC2786OBU, KSC2786OBU數據表 (總頁數: 7, 大小: 72.26 KB)
PDFKSC2786RTA數據表 封面
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KSC2786OBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)20V
頻率-過渡600MHz
噪聲系數(dB Typ @ f)3dB ~ 5dB @ 100MHz
增益18dB ~ 22dB
功率-最大250mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 1mA, 6V
當前-集電極(Ic)(最大值)20mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝TO-92S

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制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

13dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23

MSC1175MA

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

1.025GHz ~ 1.15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8dB

功率-最大

400W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

工作溫度

250°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M218

供應商設備包裝

M218

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.5dB @ 2GHz

增益

14dB ~ 16dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 3mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

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SD1019

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

35V

頻率-過渡

136MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

4.5dB

功率-最大

117W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 500mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

9A

工作溫度

200°C

安裝類型

Stud Mount

包裝/箱

M130

供應商設備包裝

M130

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.9dB @ 2GHz

增益

7.5dB

功率-最大

125mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-523

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