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2N6043G

2N6043G

僅供參考

型號 2N6043G
PNEDA編號 2N6043G
描述 TRANS NPN DARL 60V 8A TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 21,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 12 - 五月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N6043G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N6043G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2N6043G, 2N6043G數據表 (總頁數: 7, 大小: 286.69 KB)
PDF2N6043數據表 封面
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2N6043G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 16mA, 4A
當前-集電極截止(最大值)20µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 4A, 4V
功率-最大75W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

800mV @ 5mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 25mA, 20V

功率-最大

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 750MA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 1A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

功率-最大

350mW

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