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PN4275_D26Z

PN4275_D26Z

僅供參考

型號 PN4275_D26Z
PNEDA編號 PN4275_D26Z
描述 TRANS NPN 15V 0.2A TO-92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,380
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 20 - 七月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PN4275_D26Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PN4275_D26Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
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PN4275_D26Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)400nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce35 @ 10mA, 1V
功率-最大350mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92-3

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 150mA, 7.5A

當前-集電極截止(最大值)

200µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 7.5A, 3V

功率-最大

70W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20000 @ 100mA, 5V

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晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 40mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

20µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 2A, 3V

功率-最大

1.75W

頻率-過渡

25MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 200mA, 1V

功率-最大

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40MHz

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-65°C ~ 150°C (TJ)

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