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2N3867S

2N3867S

僅供參考

型號 2N3867S
PNEDA編號 2N3867S
描述 PNP TRANSISTOR
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,348
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2N3867S資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2N3867S
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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2N3867S規格

制造商Microsemi Corporation
系列*
晶體管類型-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1A, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

E-Line-3

供應商設備包裝

E-Line (TO-92 compatible)

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Microsemi

制造商

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系列

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

200nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 100mA, 2V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

360MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 10A, 50A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20A, 4V

功率-最大

250W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 500mA, 3V

功率-最大

15W

頻率-過渡

90MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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