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2SCR502EBTL

2SCR502EBTL

僅供參考

型號 2SCR502EBTL
PNEDA編號 2SCR502EBTL
描述 TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 21,786
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 25 - 七月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

2SCR502EBTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號2SCR502EBTL
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
2SCR502EBTL, 2SCR502EBTL數據表 (總頁數: 8, 大小: 1,993.82 KB)
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2SCR502EBTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 10mA, 200mA
當前-集電極截止(最大值)200nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 100mA, 2V
功率-最大150mW
頻率-過渡360MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-89, SOT-490
供應商設備包裝EMT3F (SOT-416FL)

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30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 1A, 2V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

5.1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

230mV @ 255mA, 5.1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2A, 2V

功率-最大

2.1W

頻率-過渡

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 50mA, 10V

功率-最大

1W

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