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型號	描述	庫存
MMBFJ113 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 35V 350MW SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 35V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 100 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存114,534
2SK3666-3-TB-E ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 10MA 200MW 3CP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.2mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 10mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 180mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 10V 電阻-RDS（On）: 200 Ohms 功率-最大: 200mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-CP	庫存12,596
2SK01980RL Panasonic Electronic Components	晶體管-JFET JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 20mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 10µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: Mini3-G1	庫存5,193
MMBF4118 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.225W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 225mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存84,204
2SK34260TL Panasonic Electronic Components	晶體管-JFET JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 107µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大: 2mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: -20°C ~ 80°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: SSSMini3-F1	庫存4,964
BSR57 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 40 Ohms 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存29,393
BSR56 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 25 Ohms 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存19,535
BFR31,215 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 10mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2.5V @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存2
PMBFJ177,215 NXP	晶體管-JFET JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.5mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 300 Ohms 功率-最大: 300mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存119,293
PMBF4391,215 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 30 Ohms 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存23,383
J112 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 35V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 35V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 50 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存19,030
J113 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 35V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 35V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 100 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存26,631
J111 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 35V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 35V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 30 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存672,818
J109 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 40mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 12 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存309,197
CMPF4393 TR Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 50MA SOT23 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 100 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存4,018
2SK2145-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-JFET JFET N-CH 50V SMV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 6mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74A, SOT-753 供應商設備包裝: SMV	庫存34
2SK932-22-TB-E ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 7.3mA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 50mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 100µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 200mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-CP	庫存4,427
2SK2394-6-TB-E ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 50mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 100µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 200mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-CP	庫存4,160
2SK932-24-TB-E ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 14.5mA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 50mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 100µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 200mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-CP	庫存14,155
MMBFJ110 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 0.46W 3-SSOT 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 18 Ohms 功率-最大: 460mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SuperSOT-3	庫存2
MMBFJ175 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 7mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 125 Ohms 功率-最大: 225mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存17,531
MMBFJ270 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 225mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存107,290
J175-D26Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 7mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 125 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,433
MMBFJ177 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.5mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 300 Ohms 功率-最大: 225mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存61,910
MMBFU310LT1G ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 0.225W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 24mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2.5V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 225mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存8,303
MMBFJ202 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 350MW SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 900µA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存2,470
MMBF4391LT1G ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 15V 電阻-RDS（On）: 30 Ohms 功率-最大: 225mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存90,188
MMBF4393 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 350MW SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 100 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存143,137
MMBF4093 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 350MW SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 80 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存7,747
BSR58 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 60 Ohms 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存28,727

MMBFJ113

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 35V 350MW SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 35V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 100 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存114,534

2SK3666-3-TB-E

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 10MA 200MW 3CP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.2mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 10mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 180mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 10V
電阻-RDS（On）: 200 Ohms
功率-最大: 200mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-CP

庫存12,596

2SK01980RL

Panasonic Electronic Components

晶體管-JFET

JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 20mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 10µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: Mini3-G1

庫存5,193

MMBF4118

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.225W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 225mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存84,204

2SK34260TL

Panasonic Electronic Components

晶體管-JFET

JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 107µA @ 2V
電流消耗（Id）-最大: 2mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: -20°C ~ 80°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: SSSMini3-F1

庫存4,964

BSR57

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 40 Ohms
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存29,393

BSR56

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 250MW SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 25 Ohms
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存19,535

BFR31,215

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 10MA 250MW SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 10mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2.5V @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存2

PMBFJ177,215

NXP

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V 0.3W SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.5mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 300 Ohms
功率-最大: 300mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存119,293

PMBF4391,215

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 250MW SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 30 Ohms
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存23,383

J112

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 35V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 35V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 50 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存19,030

J113

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 35V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 35V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 100 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存26,631

J111

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 35V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 35V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 30 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存672,818

J109

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 40mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 12 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存309,197

CMPF4393 TR

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 50MA SOT23

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 100 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存4,018

2SK2145-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-JFET

JFET N-CH 50V SMV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 6mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74A, SOT-753
供應商設備包裝: SMV

庫存34

2SK932-22-TB-E

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 50MA 200MW CP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 7.3mA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 50mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 100µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 200mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-CP

庫存4,427

2SK2394-6-TB-E

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 50MA 200MW CP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 50mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 100µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 200mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-CP

庫存4,160

2SK932-24-TB-E

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 50MA 200MW CP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 14.5mA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 50mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 100µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 200mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-CP

庫存14,155

MMBFJ110

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 0.46W 3-SSOT

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 18 Ohms
功率-最大: 460mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SuperSOT-3

庫存2

MMBFJ175

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V 0.225W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 7mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 125 Ohms
功率-最大: 225mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存17,531

MMBFJ270

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V 0.225W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 225mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存107,290

J175-D26Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 7mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 125 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,433

MMBFJ177

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V 0.225W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.5mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 300 Ohms
功率-最大: 225mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存61,910

MMBFU310LT1G

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 0.225W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 24mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2.5V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 225mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存8,303

MMBFJ202

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 350MW SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 900µA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存2,470

MMBF4391LT1G

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 0.225W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 15V
電阻-RDS（On）: 30 Ohms
功率-最大: 225mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存90,188

MMBF4393

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 350MW SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 100 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存143,137

MMBF4093

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 350MW SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 80 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存7,747

BSR58

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 60 Ohms
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存28,727

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