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MMBFJ177

MMBFJ177

僅供參考

型號 MMBFJ177
PNEDA編號 MMBFJ177
描述 JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $1.4468
250 ---------- $1.3790
500 ---------- $1.3111
1,000 ---------- $1.2433
2,500 ---------- $1.1868
5,000 ---------- $1.1303
庫存 61,910
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

MMBFJ177資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號MMBFJ177
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
MMBFJ177, MMBFJ177數據表 (總頁數: 8, 大小: 335.99 KB)
PDFMMBFJ175數據表 封面
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MMBFJ177規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)1.5mA @ 15V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID800mV @ 10nA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
電阻-RDS(On)300 Ohms
功率-最大225mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

8mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

225mW

工作溫度

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

15mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 20V

電阻-RDS(On)

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FET類型

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

3.3µA @ 1200V

電流消耗(Id)-最大

35A

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 19.5V (VGS)

電阻-RDS(On)

70 mOhms

功率-最大

238W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

35V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

50 Ohms

功率-最大

625mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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