晶體管

型號	描述	庫存
BCR 148L3 E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 100MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4	庫存3,762
BCR 148T E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 100MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: PG-SC-75	庫存4,086
BCR148WE6327BTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 100MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存8,136
BCR148WH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 100MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存3,472
BCR 148W H6433 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 100MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存3,582
BCR 149F E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 150MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: PG-TSFP-3	庫存4,482
BCR 149L3 E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 150MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4	庫存3,546
BCR 149T E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 150MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: PG-SC-75	庫存7,398
BCR 151F E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 120MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: PG-TSFP-3	庫存7,434
BCR 151L3 E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 120MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4	庫存7,614
BCR 151T E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 120MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: PG-SC-75	庫存7,758
BCR 153F E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: PG-TSFP-3	庫存7,524
BCR 153L3 E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4	庫存7,326
BCR 153T E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 20mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: PG-SC-75	庫存8,838
BCR 158 B6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存3,888
BCR158E6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存56,940
BCR 158F E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: PG-TSFP-3	庫存5,382
BCR 158L3 E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4	庫存5,346
BCR 158T E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: PG-SC-75	庫存2,862
BCR158WE6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存3,006
BCR158WH6327XTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: PG-SOT323-3	庫存2,376
BCR 162 B6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存4,734
BCR162E6327HTSA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存4,788
BCR 162F E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: PG-TSFP-3	庫存8,910
BCR 162L3 E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4	庫存6,696
BCR 162T E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: PG-SC-75	庫存7,578
BCR 164F E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 160MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: PG-TSFP-3	庫存7,344
BCR 164L3 E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 160MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4	庫存6,804
BCR 164T E6327 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 160MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: PG-SC-75	庫存7,668
BCR166B6327HTLA1 Infineon Technologies	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商: Infineon Technologies 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 160MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存2,268

BCR 148L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 100MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

庫存3,762

BCR 148T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 100MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: PG-SC-75

庫存4,086

BCR148WE6327BTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 100MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存8,136

BCR148WH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 100MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存3,472

BCR 148W H6433

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 100MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存3,582

BCR 149F E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 150MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: PG-TSFP-3

庫存4,482

BCR 149L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 150MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

庫存3,546

BCR 149T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 150MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: PG-SC-75

庫存7,398

BCR 151F E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 120MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: PG-TSFP-3

庫存7,434

BCR 151L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 120MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

庫存7,614

BCR 151T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 120MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: PG-SC-75

庫存7,758

BCR 153F E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: PG-TSFP-3

庫存7,524

BCR 153L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

庫存7,326

BCR 153T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 20mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 20mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: PG-SC-75

庫存8,838

BCR 158 B6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存3,888

BCR158E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存56,940

BCR 158F E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: PG-TSFP-3

庫存5,382

BCR 158L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

庫存5,346

BCR 158T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: PG-SC-75

庫存2,862

BCR158WE6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存3,006

BCR158WH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: PG-SOT323-3

庫存2,376

BCR 162 B6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存4,734

BCR162E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存4,788

BCR 162F E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: PG-TSFP-3

庫存8,910

BCR 162L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

庫存6,696

BCR 162T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: PG-SC-75

庫存7,578

BCR 164F E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 160MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: PG-TSFP-3

庫存7,344

BCR 164L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 160MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

庫存6,804

BCR 164T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 160MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: PG-SC-75

庫存7,668

BCR166B6327HTLA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

制造商: Infineon Technologies
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 160MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存2,268

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