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BCR 162T E6327

BCR 162T E6327

僅供參考

型號 BCR 162T E6327
PNEDA編號 BCR-162T-E6327
描述 TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,578
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BCR 162T E6327資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BCR 162T E6327
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
BCR 162T E6327, BCR 162T E6327數據表 (總頁數: 12, 大小: 328.39 KB)
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BCR 162T E6327規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)4.7 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce20 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡200MHz
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝PG-SC-75

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50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

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電阻-基本(R1)

1 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

230 @ 300mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 6mA, 600mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

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250mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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