晶體管

BCR116WH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: PG-SOT323-3

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BCR119E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR 119 E6433

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR 119F E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: PG-TSFP-3

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BCR 119L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

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BCR 119T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: PG-SC-75

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BCR119WE6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: PG-SOT323-3

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BCR119WH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: PG-SOT323-3

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BCR129E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR 129F E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: PG-TSFP-3

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BCR 129L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

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BCR 129T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: PG-SC-75

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BCR129WE6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: PG-SOT323-3

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Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: PG-SOT323-3

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BCR 133 B6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR133E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR133E6393HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN SOT23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR133E6433HTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR 133F B6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: PG-TSFP-3

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BCR 133F E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: PG-TSFP-3

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BCR 133L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

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BCR 133T E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: PG-SC-75

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晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: PG-SOT323-3

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晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 130MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: PG-SOT323-3

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BCR 135 B6327

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晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR135E6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR135E6359HTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP SOT23

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR135E6433HTMA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3

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BCR 135F E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: PG-TSFP-3

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BCR 135L3 E6327

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 150MHz
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: PG-TSLP-3-4

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