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晶體管

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頁面 1968/2164
圖片
型號
描述
庫存
數量
BSM15GD120DN2BOSA1
BSM15GD120DN2BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Three Phase Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 25A
  • 功率-最大: 145W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3V @ 15V, 15A
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 100pF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存4,626
BSM15GD120DN2E3224BOSA1
BSM15GD120DN2E3224BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Full Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 25A
  • 功率-最大: 145W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3V @ 15V, 15A
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 1nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存7,956
BSM15GP120BOSA1
BSM15GP120BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Full Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 35A
  • 功率-最大: 180W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.55V @ 15V, 15A
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 1nF @ 25V
  • 輸入: Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存5,202
BSM15GP60BOSA1
BSM15GP60BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Three Phase Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 25A
  • 功率-最大: 100W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.45V @ 15V, 15A
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: -
  • 輸入: Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存4,158
BSM200GA120DLCHOSA1
BSM200GA120DLCHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 370A
  • 功率-最大: 1450W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.6V @ 15V, 200A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 13nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存2,088
BSM200GA120DLCSHOSA1
BSM200GA120DLCSHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 370A
  • 功率-最大: 1450W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.6V @ 15V, 200A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 13nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存8,676
BSM200GA120DN2HOSA1
BSM200GA120DN2HOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single Switch
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 300A
  • 功率-最大: 1550W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3V @ 15V, 200A
  • 當前-集電極截止(最大值): 4mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 13nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存8,244
BSM200GA170DLCHOSA1
BSM200GA170DLCHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 400A
  • 功率-最大: 1920W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.2V @ 15V, 200A
  • 當前-集電極截止(最大值): 400µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 15nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存2,952
BSM200GB120DLCHOSA1
BSM200GB120DLCHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 420A
  • 功率-最大: 1550W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.6V @ 15V, 200A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 13nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存6,930
BSM200GB120DN2HOSA1
BSM200GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 290A
  • 功率-最大: 1400W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3V @ 15V, 200A
  • 當前-集電極截止(最大值): 4mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 13nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存5,509
BSM200GB170DLCE3256HDLA1
BSM200GB170DLCE3256HDLA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

MODULE IGBT AG-62MM-1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 400A
  • 功率-最大: 1660W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.2V @ 15V, 200A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 15nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: -
庫存3,366
BSM200GB170DLCHOSA1
BSM200GB170DLCHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 400A
  • 功率-最大: 1660W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.2V @ 15V, 200A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 15nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存8,784
BSM200GB60DLCHOSA1
BSM200GB60DLCHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE 600V 230A

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 230A
  • 功率-最大: 730W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.45V @ 15V, 200A
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 9nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存3,742
BSM200GD60DLCBOSA1
BSM200GD60DLCBOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Full Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 226A
  • 功率-最大: 700W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.45V @ 15V, 200A
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 9nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存6,840
BSM20GP60BOSA1
BSM20GP60BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Three Phase Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 35A
  • 功率-最大: 130W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.35V @ 15V, 10A
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 1.1nF @ 25V
  • 輸入: Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存2,718
BSM25GD120DN2BOSA1
BSM25GD120DN2BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Full Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 35A
  • 功率-最大: 200W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3V @ 15V, 25A
  • 當前-集電極截止(最大值): 800µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 1.65nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存6,768
BSM25GD120DN2E3224BOSA1
BSM25GD120DN2E3224BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Three Phase Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 35A
  • 功率-最大: 200W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3V @ 15V, 25A
  • 當前-集電極截止(最大值): 800µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 1.65nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存8,010
BSM25GP120BOSA1
BSM25GP120BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Full Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 45A
  • 功率-最大: 230W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.55V @ 15V, 25A
  • 當前-集電極截止(最大值): 20A
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 1.5nF @ 25V
  • 輸入: Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存3,330
BSM300GA120DLCHOSA1
BSM300GA120DLCHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 570A
  • 功率-最大: 2250W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.6V @ 15V, 300A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 22nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存3,186
BSM300GA120DLCSHOSA1
BSM300GA120DLCSHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 570A
  • 功率-最大: 2250W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.6V @ 15V, 300A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 22nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存7,866
BSM300GA120DN2HOSA1
BSM300GA120DN2HOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single Switch
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 430A
  • 功率-最大: 2500W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3V @ 15V, 300A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5.6mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 22nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存2,844
BSM300GA170DLCHOSA1
BSM300GA170DLCHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600A
  • 功率-最大: 2520W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.2V @ 15V, 300A
  • 當前-集電極截止(最大值): 600µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 20nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存2,070
BSM300GA170DN2HOSA1
BSM300GA170DN2HOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

MODULE IGBT 1700V

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 440A
  • 功率-最大: 2500W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.9V @ 15V, 300A
  • 當前-集電極截止(最大值): 3mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: -
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存2,412
BSM300GB120DLCHOSA1
BSM300GB120DLCHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 625A
  • 功率-最大: 2500W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.6V @ 15V, 300A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 21nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存7,758
BSM300GB60DLCHOSA1
BSM300GB60DLCHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: 2 Independent
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 375A
  • 功率-最大: 1250W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.45V @ 15V, 300A
  • 當前-集電極截止(最大值): 1mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 13nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存8,622
BSM30GD60DLCBOSA1
BSM30GD60DLCBOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Three Phase Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 40A
  • 功率-最大: 135W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.45V @ 15V, 30A
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 1.3nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存6,768
BSM30GD60DLCE3224
BSM30GD60DLCE3224

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT BSM30GD60DLCE3224BOSA1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 40A
  • 功率-最大: 135W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.45V @ 15V, 30A
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 1.3nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存5,742
BSM30GP60BOSA1
BSM30GP60BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Full Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 50A
  • 功率-最大: 180W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.45V @ 15V, 30A
  • 當前-集電極截止(最大值): 300nA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 1.6nF @ 25V
  • 輸入: Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存4,860
BSM35GB120DN2HOSA1
BSM35GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 50A
  • 功率-最大: 280W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.2V @ 15V, 35A
  • 當前-集電極截止(最大值): 1mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 2nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存4,230
BSM35GD120DLCE3224BOSA1
BSM35GD120DLCE3224BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Full Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 70A
  • 功率-最大: 280W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.6V @ 15V, 35A
  • 當前-集電極截止(最大值): 80µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 2nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存3,222