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BSM200GA170DLCHOSA1

BSM200GA170DLCHOSA1

僅供參考

型號 BSM200GA170DLCHOSA1
PNEDA編號 BSM200GA170DLCHOSA1
描述 IGBT 2 MED POWER 62MM-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,952
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 9 - 六月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSM200GA170DLCHOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSM200GA170DLCHOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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BSM200GA170DLCHOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)400A
功率-最大1920W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.2V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)400µA
輸入電容(Cies)@ Vce15nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

25nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

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Chassis Mount

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Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

630A

功率-最大

2400W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 450A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

36nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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Chassis Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.55V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

40µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

1890W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

47nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

650W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

30nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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