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BSM200GB120DLCHOSA1

BSM200GB120DLCHOSA1

僅供參考

型號 BSM200GB120DLCHOSA1
PNEDA編號 BSM200GB120DLCHOSA1
描述 IGBT 2 MED POWER 62MM-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,930
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 4 - 六月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSM200GB120DLCHOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSM200GB120DLCHOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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BSM200GB120DLCHOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)420A
功率-最大1550W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.6V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce13nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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1600A

功率-最大

10500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 1300A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

130nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

功率-最大

1780W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

21nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-

安裝類型

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IGBT類型

-

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

182A

功率-最大

520W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

18.67nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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IGBT類型

NPT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

93A

功率-最大

294W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1.4mA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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