晶體管

TSM040N03CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 90A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 88W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TSM042N03CS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 7W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-SOP
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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TSM045NA03CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 108A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1194pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 89W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerTDFN

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TSM045NB06CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 104A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 16A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 104nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6870pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 136W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerTDFN

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TSM048NB06LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta), 107A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 16A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 105nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6253pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 136W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerTDFN

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TSM052N06PQ56 RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±25V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3686pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 83W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerTDFN

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TSM055N03EPQ56 RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.1nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1210pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 74W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerTDFN

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TSM055N03PQ56 RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.1nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1160pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 74W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerTDFN

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TSM05N03CW RPG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT223

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 555pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 3W (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: SOT-223
• 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA

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TSM060N03CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.1nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1160pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 54W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TSM060N03ECP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.1nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1210pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 54W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TSM060N03PQ33 RGG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 62A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25.4nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1342pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-PDFN (3x3)
• 包裝/箱: 8-PowerWDFN

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TSM061NA03CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 88A 8PDFN

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 88A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.1mOhm @ 16A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1133pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 78W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerTDFN

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TSM061NA03CV RGG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 66A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.1mOhm @ 16A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.3nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1136pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 44.6W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-PDFN (3x3)
• 包裝/箱: 8-PowerWDFN

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TSM070NA04LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 91A 8PDFN

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 91A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1469pF @ 20V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 113W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerTDFN

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TSM070NB04CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 75A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2403pF @ 20V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 83W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerTDFN

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TSM070NB04LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta), 75A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2151pF @ 20V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 83W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerTDFN

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TSM080N03EPQ56 RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 55A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 16A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 54W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerTDFN

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TSM080N03PQ56 RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 73A 8PDFN

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 73A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8mOhm @ 14A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.4nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 843pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 69W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerTDFN

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TSM085N03PQ33 RGG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 52A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.3nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 817pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 37W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-PDFN (3x3)
• 包裝/箱: 8-PowerWDFN

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TSM085P03CS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 30V 34A 8SOP

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3216pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 14W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-SOP
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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TSM085P03CV RGG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 64A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.5mOhm @ 14A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3234pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 50W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-PDFN (3x3)
• 包裝/箱: 8-PowerWDFN

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TSM088NA03CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 61A 8PDFN

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 61A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.8mOhm @ 13A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.6nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 56W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerTDFN

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TSM089N08LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 67A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.9mOhm @ 12A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 90nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6119pF @ 40V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 83W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
• 包裝/箱: 8-PowerTDFN

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TSM090N03CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO252

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 750pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TSM090N03ECP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO252

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TSM100N06CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 60V 100A TO220

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 30A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 92nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4382pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 167W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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TSM10N06CP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 60V 10A TO252

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TSM10N60CI C0

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45.8nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1738pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 50W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: ITO-220
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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TSM10N60CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45.8nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1738pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 50W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: ITO-220
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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