晶體管

型號	描述	庫存
TPN6R303NC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1370pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta), 19W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存7,794
TPN7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存6,588
TPN8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 20A TSON 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 100µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 820pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 700mW (Ta), 22W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存8,982
TPS1100D Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC 制造商: 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.45nC @ 10V Vgs（最大）: +2V, -15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 791mW (Ta) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存9,000
TPS1100DR Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC 制造商: 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.45nC @ 10V Vgs（最大）: +2V, -15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 791mW (Ta) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存7,434
TPS1100PW Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP 制造商: 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.27A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.45nC @ 10V Vgs（最大）: +2V, -15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 504mW (Ta) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSSOP 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	庫存2,106
TPS1100PWR Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP 制造商: 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.27A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.45nC @ 10V Vgs（最大）: +2V, -15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 504mW (Ta) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-TSSOP 包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	庫存6,822
TPS1101D Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC 制造商: 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.25nC @ 10V Vgs（最大）: +2V, -15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 791mW (Ta) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存12,804
TPS1101DR Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC 制造商: 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.25nC @ 10V Vgs（最大）: +2V, -15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 791mW (Ta) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOIC 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	庫存8,640
TPS1101PWR Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP 制造商: 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.18A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.25nC @ 10V Vgs（最大）: +2V, -15V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 710mW (Ta) 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 16-TSSOP 包裝/箱: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	庫存5,256
TPW1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIX-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 45V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 122nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9600pF @ 22.5V FET功能: - 功耗（最大值）: 960mW (Ta), 170W (Tc) 工作溫度: 175°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DSOP Advance 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存8,694
TPW1R306PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIX-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.29mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8100pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 960mW (Ta), 170W (Tc) 工作溫度: 175°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DSOP Advance 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存42,594
TPW4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 116A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5300pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 800mW (Ta), 142W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DSOP Advance 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存4,662
TPW4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 92A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 800mW (Ta), 142W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DSOP Advance 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存47,010
TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIX-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 103nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9600pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta), 170W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DSOP Advance 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存6,210
TPWR8503NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6900pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 800mW (Ta), 142W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DSOP Advance 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存3,870
TSM015NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 205A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 32A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4243pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存24,570
TSM018NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 185A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 29A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3479pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存24,432
TSM020N04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7942pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存47,658
TSM024NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4224pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存21,972
TSM025NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 161A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 113nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7150pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存24,270
TSM025NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 161A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 112nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6435pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 136W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存23,988
TSM026NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 168A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 24A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2540pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存26,862
TSM033NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 129A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,606
TSM033NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 141A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3130pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存26,700
TSM033NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 121A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5022pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存20,814
TSM033NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 121A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 79nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4456pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 107W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存20,148
TSM036N03PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 124A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2530pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存22,446
TSM038N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2557pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 39W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-PDFN (3x3) 包裝/箱: 8-PowerWDFN	庫存7,020
TSM038N04LCP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CHANNEL 40V 135A TO252 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 135A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 104nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5509pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,434

TPN6R303NC,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1370pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta), 19W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存7,794

TPN7R506NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1800pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存6,588

TPN8R903NL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 20A TSON

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 100µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 820pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 700mW (Ta), 22W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存8,982

TPS1100D

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC

制造商:
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.45nC @ 10V
Vgs（最大）: +2V, -15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 791mW (Ta)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存9,000

TPS1100DR

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC

制造商:
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.45nC @ 10V
Vgs（最大）: +2V, -15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 791mW (Ta)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存7,434

TPS1100PW

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP

制造商:
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.27A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.45nC @ 10V
Vgs（最大）: +2V, -15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 504mW (Ta)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSSOP
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

庫存2,106

TPS1100PWR

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP

制造商:
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.27A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.45nC @ 10V
Vgs（最大）: +2V, -15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 504mW (Ta)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-TSSOP
包裝/箱: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

庫存6,822

TPS1101D

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

制造商:
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.25nC @ 10V
Vgs（最大）: +2V, -15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 791mW (Ta)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存12,804

TPS1101DR

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

制造商:
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.25nC @ 10V
Vgs（最大）: +2V, -15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 791mW (Ta)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOIC
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

庫存8,640

TPS1101PWR

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP

制造商:
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.18A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.7V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.25nC @ 10V
Vgs（最大）: +2V, -15V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 710mW (Ta)
工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 16-TSSOP
包裝/箱: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

庫存5,256

TPW1R005PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIX-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 45V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 300A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 122nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9600pF @ 22.5V
FET功能: -
功耗（最大值）: 960mW (Ta), 170W (Tc)
工作溫度: 175°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DSOP Advance
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存8,694

TPW1R306PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIX-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.29mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8100pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 960mW (Ta), 170W (Tc)
工作溫度: 175°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DSOP Advance
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存42,594

TPW4R008NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 116A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5300pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 800mW (Ta), 142W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DSOP Advance
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存4,662

TPW4R50ANH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 92A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 800mW (Ta), 142W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DSOP Advance
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存47,010

TPWR8004PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIX-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 103nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9600pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta), 170W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DSOP Advance
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存6,210

TPWR8503NL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 74nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6900pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 800mW (Ta), 142W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DSOP Advance
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存3,870

TSM015NA03CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 205A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.5mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4243pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存24,570

TSM018NA03CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 185A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.8mOhm @ 29A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3479pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存24,432

TSM020N04LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7942pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存47,658

TSM024NA04LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 170A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4224pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存21,972

TSM025NB04CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 161A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 113nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7150pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存24,270

TSM025NB04LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A (Ta), 161A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 112nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6435pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 136W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存23,988

TSM026NA03CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 168A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 24A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2540pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存26,862

TSM033NA03CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 129A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1850pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,606

TSM033NA04LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 141A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3130pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存26,700

TSM033NB04CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 121A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 77nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5022pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存20,814

TSM033NB04LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 21A (Ta), 121A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 79nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4456pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 107W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存20,148

TSM036N03PQ56 RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 124A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2530pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PDFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存22,446

TSM038N03PQ33 RGG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 78A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2557pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 39W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-PDFN (3x3)
包裝/箱: 8-PowerWDFN

庫存7,020

TSM038N04LCP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 40V 135A TO252

制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 135A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 104nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5509pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,434

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