晶體管

型號	描述	庫存
TPH3206LSB Transphorm	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET N-CH 650V 16A PQFN 制造商: Transphorm 系列: - FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±18V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 720pF @ 480V FET功能: - 功耗（最大值）: 81W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: PQFN (8x8) 包裝/箱: 3-PowerDFN	庫存6,192
TPH3206PD Transphorm	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET N-CH 600V 17A TO220 制造商: Transphorm 系列: - FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±18V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 480V FET功能: - 功耗（最大值）: 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存9,192
TPH3206PS Transphorm	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET N-CH 600V 17A TO220 制造商: Transphorm 系列: - FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±18V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 480V FET功能: - 功耗（最大值）: 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,118
TPH3206PSB Transphorm	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET N-CH 650V 16A TO220AB 制造商: Transphorm 系列: - FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±18V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 720pF @ 480V FET功能: - 功耗（最大值）: 81W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存10,656
TPH3207WS Transphorm	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET N-CH 650V 50A TO247 制造商: Transphorm 系列: - FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 41mOhm @ 32A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.65V @ 700µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 8V Vgs（最大）: ±18V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2197pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 178W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247-3 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,320
TPH3208LD Transphorm	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET N-CH 650V 20A PQFN 制造商: Transphorm 系列: - FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 8V Vgs（最大）: ±18V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-PQFN (8x8) 包裝/箱: 4-PowerDFN	庫存4,428
TPH3208LDG Transphorm	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET N-CH 650V 20A PQFN 制造商: Transphorm 系列: - FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 8V Vgs（最大）: ±18V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PQFN (8x8) 包裝/箱: 3-PowerDFN	庫存9,528
TPH3208LS Transphorm	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET N-CH 650V 20A PQFN 制造商: Transphorm 系列: - FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 8V Vgs（最大）: ±18V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PQFN (8x8) 包裝/箱: 3-PowerDFN	庫存5,778
TPH3208LSG Transphorm	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN 制造商: Transphorm 系列: - FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 14A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 8V Vgs（最大）: ±18V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PQFN (8x8) 包裝/箱: 3-PowerDFN	庫存6,960
TPH3208PD Transphorm	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET N-CH 650V 20A TO220 制造商: Transphorm 系列: - FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 8V Vgs（最大）: ±18V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,892
TPH3208PS Transphorm	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET N-CH 650V 20A TO220 制造商: Transphorm 系列: - FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 8V Vgs（最大）: ±18V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,416
TPH3212PS Transphorm	晶體管-FET，MOSFET-單 GANFET N-CH 650V 27A TO220 制造商: Transphorm 系列: - FET類型: N-Channel 技術: GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 17A, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 400uA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 8V Vgs（最大）: ±18V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1130pF @ 400V FET功能: - 功耗（最大值）: 104W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220AB 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,916
TPH3300CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 18A 8-SOP 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 57W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存4,518
TPH3R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIX-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 88A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3825pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 90W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存22,296
TPH3R203NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 47A 8-SOP 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2100pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 44W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存52,056
TPH3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 92A TSON 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIX-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 92A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 0.2mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 960mW (Ta), 81W (Tc) 工作溫度: 175°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存947,442
TPH4R003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 36W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存33,012
TPH4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5300pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 78W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存8,496
TPH4R10ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 92A (Ta), 70A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.3nF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 67W (Tc) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存6,444
TPH4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 78W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存7,578
TPH4R606NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3965pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 63W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存5,076
TPH5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 26A SOP8 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 78W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存3,924
TPH5900CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 75V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 42W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存104,820
TPH5R906NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 57W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存43,596
TPH6400ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 300µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 57W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存143,088
TPH6R003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N CH 30V 38A 8SOP 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 34W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存7,470
TPH6R004PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIX-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 87A (Ta), 49A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 81W (Tc) 工作溫度: 175°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存8,334
TPH6R30ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSVIII-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 66A (Ta), 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 500µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 54W (Tc) 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存4,986
TPH7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIX-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1875pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 81W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存103,212
TPH7R204PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-FET，MOSFET-單 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIX-H FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 200µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2040pF @ 20V FET功能: - 功耗（最大值）: 69W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存51,822

TPH3206LSB

Transphorm

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET N-CH 650V 16A PQFN

制造商: Transphorm
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±18V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 720pF @ 480V
FET功能: -
功耗（最大值）: 81W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: PQFN (8x8)
包裝/箱: 3-PowerDFN

庫存6,192

TPH3206PD

Transphorm

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET N-CH 600V 17A TO220

制造商: Transphorm
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±18V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 480V
FET功能: -
功耗（最大值）: 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存9,192

TPH3206PS

Transphorm

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET N-CH 600V 17A TO220

制造商: Transphorm
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±18V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 480V
FET功能: -
功耗（最大值）: 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,118

TPH3206PSB

Transphorm

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET N-CH 650V 16A TO220AB

制造商: Transphorm
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±18V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 720pF @ 480V
FET功能: -
功耗（最大值）: 81W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存10,656

TPH3207WS

Transphorm

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET N-CH 650V 50A TO247

制造商: Transphorm
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 41mOhm @ 32A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.65V @ 700µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 8V
Vgs（最大）: ±18V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2197pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 178W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247-3
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,320

TPH3208LD

Transphorm

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET N-CH 650V 20A PQFN

制造商: Transphorm
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 8V
Vgs（最大）: ±18V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-PQFN (8x8)
包裝/箱: 4-PowerDFN

庫存4,428

TPH3208LDG

Transphorm

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET N-CH 650V 20A PQFN

制造商: Transphorm
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 8V
Vgs（最大）: ±18V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PQFN (8x8)
包裝/箱: 3-PowerDFN

庫存9,528

TPH3208LS

Transphorm

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET N-CH 650V 20A PQFN

制造商: Transphorm
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 8V
Vgs（最大）: ±18V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PQFN (8x8)
包裝/箱: 3-PowerDFN

庫存5,778

TPH3208LSG

Transphorm

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

制造商: Transphorm
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 14A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 42nC @ 8V
Vgs（最大）: ±18V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PQFN (8x8)
包裝/箱: 3-PowerDFN

庫存6,960

TPH3208PD

Transphorm

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET N-CH 650V 20A TO220

制造商: Transphorm
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 8V
Vgs（最大）: ±18V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,892

TPH3208PS

Transphorm

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET N-CH 650V 20A TO220

制造商: Transphorm
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 8V
Vgs（最大）: ±18V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,416

TPH3212PS

Transphorm

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET N-CH 650V 27A TO220

制造商: Transphorm
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 17A, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 400uA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 8V
Vgs（最大）: ±18V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1130pF @ 400V
FET功能: -
功耗（最大值）: 104W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220AB
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,916

TPH3300CNH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 18A 8-SOP

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 57W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存4,518

TPH3R003PL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIX-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 88A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3825pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 90W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存22,296

TPH3R203NL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 47A 8-SOP

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2100pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 44W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存52,056

TPH3R704PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 92A TSON

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIX-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 92A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 0.2mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2500pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 960mW (Ta), 81W (Tc)
工作溫度: 175°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存947,442

TPH4R003NL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 36W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存33,012

TPH4R008NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5300pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 78W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存8,496

TPH4R10ANL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 92A (Ta), 70A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.3nF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 67W (Tc)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存6,444

TPH4R50ANH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5200pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 78W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存7,578

TPH4R606NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 32A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3965pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 63W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存5,076

TPH5200FNH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 26A SOP8

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2200pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 78W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存3,924

TPH5900CNH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 150V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 75V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存104,820

TPH5R906NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3100pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 57W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存43,596

TPH6400ENH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 300µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 100V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 57W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存143,088

TPH6R003NL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 30V 38A 8SOP

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 38A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.6W (Ta), 34W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存7,470

TPH6R004PL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIX-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 87A (Ta), 49A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.8W (Ta), 81W (Tc)
工作溫度: 175°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存8,334

TPH6R30ANL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSVIII-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 66A (Ta), 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 500µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4300pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 54W (Tc)
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存4,986

TPH7R006PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIX-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1875pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 81W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存103,212

TPH7R204PL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: U-MOSIX-H
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 48A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 200µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2040pF @ 20V
FET功能: -
功耗（最大值）: 69W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存51,822

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