晶體管

GP1M009A050FSH

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 4.25A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1195pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 39W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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GP1M009A050HS

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 4.25A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1195pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 127W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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GP1M009A060FH

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 4.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1440pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 51.4W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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GP1M009A060H

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 9A TO220

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 4.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1440pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 158W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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GP1M009A070F

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 700V 9A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 700V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05Ohm @ 4.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1944pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 52W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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GP1M009A090FH

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2324pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 48W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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GP1M009A090H

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 9A TO220

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2324pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 290W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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GP1M009A090N

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 4.75A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 65nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2324pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 312W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-3PN
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

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GP1M010A060FH

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1891pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 52W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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GP1M010A060H

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 10A TO220

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1891pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 198W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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GP1M010A080FH

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05Ohm @ 4.75A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2336pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 48W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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GP1M010A080H

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05Ohm @ 4.75A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2336pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 290W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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GP1M010A080N

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.05Ohm @ 5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2336pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 312W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-3PN
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

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GP1M011A050FH

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 11A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 670mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1423pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 51.4W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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GP1M011A050FSH

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1546pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 51.4W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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GP1M011A050H

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 11A TO220

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 670mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1423pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 158W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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GP1M011A050HS

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 10A TO220

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1546pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 158W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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GP1M012A060FH

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2308pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 53W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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GP1M012A060H

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2308pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 231W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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GP1M013A050FH

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1918pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 52W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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GP1M013A050H

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 13A TO220

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1918pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 183W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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GP1M015A050FH

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 14A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2263pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 53W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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GP1M015A050H

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 14A TO220

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2263pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 231W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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GP1M016A025CG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 16A DPAK

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 944pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 93.9W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D-Pak
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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GP1M016A025FG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 16A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 944pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30.4W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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GP1M016A025HG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 16A TO220

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 944pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 93.9W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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GP1M016A025PG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 16A IPAK

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 944pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 93.9W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: I-PAK
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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GP1M016A060F

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 470mOhm @ 8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3039pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 48W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220F
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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GP1M016A060FH

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 470mOhm @ 8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3039pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 48W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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GP1M016A060H

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 16A TO220

• 制造商: Global Power Technologies Group
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 470mOhm @ 8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3039pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 290W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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