晶體管

型號	描述	庫存
FQU7P06TU_NB82048 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 451mOhm @ 2.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±25V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 295pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 28W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存8,316
FQU7P20TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 770pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 55W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存4,248
FQU7P20TU_AM002 ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 770pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 55W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存4,788
FQU8N25TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存2,286
FQU8P10TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 470pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 44W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存36,540
FQU9N25TU ON Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK 制造商: ON Semiconductor 系列: QFET® FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 250V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 55W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存49,710
GA03JT12-247 GeneSiC Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) (95°C) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 460mOhm @ 3A Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 15W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AB 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,556
GA04JT17-247 GeneSiC Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) (95°C) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 4A Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 106W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AB 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,172
GA05JT01-46 GeneSiC Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS SJT 100V 9A 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 5A Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 20W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 225°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-46 包裝/箱: TO-46-3	庫存6,156
GA05JT03-46 GeneSiC Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS SJT 300V 9A 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 300V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 5A Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 20W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 225°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-46 包裝/箱: TO-46-3	庫存4,752
GA05JT12-247 GeneSiC Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS SJT 1200V 5A 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 5A Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 106W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AB 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,896
GA05JT12-263 GeneSiC Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS SJT 1200V 15A 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 106W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead) 包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	庫存20,400
GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) (90°C) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 6A Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AB 包裝/箱: TO-247-3	庫存4,194
GA08JT17-247 GeneSiC Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) (90°C) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 8A Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 48W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AB 包裝/箱: TO-247-3	庫存14,616
GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS SJT 1200V 160A SOT227 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 100A Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 800V FET功能: - 功耗（最大值）: 535W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存8,334
GA100JT17-227 GeneSiC Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS SJT 1700V 160A SOT227 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 100A Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 800V FET功能: - 功耗（最大值）: 535W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 供應商設備包裝: SOT-227 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC	庫存8,694
GA10JT12-247 GeneSiC Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS SJT 1.2KV 10A 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 10A Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 170W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AB 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,020
GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS SJT 1200V 25A 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 10A Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1403pF @ 800V FET功能: - 功耗（最大值）: 170W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存17,196
GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS SJT 1200V 25A TO263-7 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 10A Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1403pF @ 800V FET功能: - 功耗（最大值）: 170W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead) 包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	庫存8,496
GA16JT17-247 GeneSiC Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) (90°C) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 16A Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 282W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AB 包裝/箱: TO-247-3	庫存8,460
GA20JT12-247 GeneSiC Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS SJT 1.2KV 20A 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 20A Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 282W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AB 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,862
GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS SJT 1200V 45A 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 20A Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3091pF @ 800V FET功能: - 功耗（最大值）: 282W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead) 包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	庫存7,794
GA20SICP12-247 GeneSiC Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS SJT 1200V 45A TO247 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 20A Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3091pF @ 800V FET功能: - 功耗（最大值）: 282W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AB 包裝/箱: TO-247-3	庫存7,074
GA50JT06-258 GeneSiC Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS SJT 600V 100A 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 50A Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 769W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 225°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-258 包裝/箱: TO-258-3, TO-258AA	庫存6,300
GA50JT12-247 GeneSiC Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS SJT 1.2KV 50A 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 50A Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7209pF @ 800V FET功能: - 功耗（最大值）: 583W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247AB 包裝/箱: TO-247-3	庫存6,024
GA50JT12-263 GeneSiC Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 供應商設備包裝: - 包裝/箱: -	庫存3,562
GA50JT17-247 GeneSiC Semiconductor	晶體管-FET，MOSFET-單 TRANS SJT 1.7KV 100A 制造商: GeneSiC Semiconductor 系列: - FET類型: - 技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 漏極至源極電壓（Vdss）: 1700V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 50A Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: 583W (Tc) 工作溫度: 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-247 包裝/箱: TO-247-3	庫存2,358
GKI03026 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 22A 8DFN 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 68A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4010pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 77W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,580
GKI03039 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 47.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2460pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 59W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,904
GKI03061 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.2mOhm @ 31A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1480pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 46W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,196

FQU7P06TU_NB82048

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 5.4A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 451mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±25V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 295pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 28W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存8,316

FQU7P20TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 770pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 55W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存4,248

FQU7P20TU_AM002

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.7A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 690mOhm @ 2.85A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 770pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 55W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存4,788

FQU8N25TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存2,286

FQU8P10TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.6A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 470pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 44W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存36,540

FQU9N25TU

ON Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK

制造商: ON Semiconductor
系列: QFET®
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 250V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 420mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 55W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存49,710

GA03JT12-247

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB

制造商: GeneSiC Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) (95°C)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 460mOhm @ 3A
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 15W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AB
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,556

GA04JT17-247

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB

制造商: GeneSiC Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) (95°C)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 480mOhm @ 4A
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 106W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AB
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,172

GA05JT01-46

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 100V 9A

制造商: GeneSiC Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 5A
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 20W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 225°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-46
包裝/箱: TO-46-3

庫存6,156

GA05JT03-46

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 300V 9A

制造商: GeneSiC Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 300V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 240mOhm @ 5A
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 20W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 225°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-46
包裝/箱: TO-46-3

庫存4,752

GA05JT12-247

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 1200V 5A

制造商: GeneSiC Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 280mOhm @ 5A
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 106W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AB
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,896

GA05JT12-263

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 1200V 15A

制造商: GeneSiC Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 106W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead)
包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

庫存20,400

GA06JT12-247

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB

制造商: GeneSiC Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Tc) (90°C)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 6A
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AB
包裝/箱: TO-247-3

庫存4,194

GA08JT17-247

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB

制造商: GeneSiC Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Tc) (90°C)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 8A
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 48W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AB
包裝/箱: TO-247-3

庫存14,616

GA100JT12-227

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 1200V 160A SOT227

制造商: GeneSiC Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 100A
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 800V
FET功能: -
功耗（最大值）: 535W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存8,334

GA100JT17-227

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 1700V 160A SOT227

制造商: GeneSiC Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 160A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10mOhm @ 100A
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14400pF @ 800V
FET功能: -
功耗（最大值）: 535W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
供應商設備包裝: SOT-227
包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC

庫存8,694

GA10JT12-247

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 1.2KV 10A

制造商: GeneSiC Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 10A
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 170W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AB
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,020

GA10JT12-263

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 1200V 25A

制造商: GeneSiC Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 10A
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1403pF @ 800V
FET功能: -
功耗（最大值）: 170W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存17,196

GA10SICP12-263

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 1200V 25A TO263-7

制造商: GeneSiC Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 10A
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1403pF @ 800V
FET功能: -
功耗（最大值）: 170W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead)
包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

庫存8,496

GA16JT17-247

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 1700V 16A TO-247AB

制造商: GeneSiC Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Tc) (90°C)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 110mOhm @ 16A
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 282W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AB
包裝/箱: TO-247-3

庫存8,460

GA20JT12-247

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 1.2KV 20A

制造商: GeneSiC Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 20A
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 282W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AB
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,862

GA20JT12-263

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 1200V 45A

制造商: GeneSiC Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 20A
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3091pF @ 800V
FET功能: -
功耗（最大值）: 282W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D2PAK (7-Lead)
包裝/箱: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

庫存7,794

GA20SICP12-247

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 1200V 45A TO247

制造商: GeneSiC Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 45A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 20A
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3091pF @ 800V
FET功能: -
功耗（最大值）: 282W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AB
包裝/箱: TO-247-3

庫存7,074

GA50JT06-258

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 600V 100A

制造商: GeneSiC Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 50A
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 769W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 225°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-258
包裝/箱: TO-258-3, TO-258AA

庫存6,300

GA50JT12-247

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 1.2KV 50A

制造商: GeneSiC Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 50A
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7209pF @ 800V
FET功能: -
功耗（最大值）: 583W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247AB
包裝/箱: TO-247-3

庫存6,024

GA50JT12-263

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7

制造商: GeneSiC Semiconductor
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
供應商設備包裝: -
包裝/箱: -

庫存3,562

GA50JT17-247

GeneSiC Semiconductor

晶體管-FET，MOSFET-單

TRANS SJT 1.7KV 100A

制造商: GeneSiC Semiconductor
系列: -
FET類型: -
技術: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓（Vdss）: 1700V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 50A
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: 583W (Tc)
工作溫度: 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-247
包裝/箱: TO-247-3

庫存2,358

GKI03026

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 22A 8DFN

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.6mOhm @ 68A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4010pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 77W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,580

GKI03039

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 47.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2460pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 59W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,904

GKI03061

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.2mOhm @ 31A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1480pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,196

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