晶體管

型號	描述	庫存
GKI03080 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 15V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,214
GKI04031 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 17A 8DFN 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 51A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3910pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 77W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,964
GKI04048 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 14A 8DFN 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 35.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2410pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 59W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,730
GKI04076 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 11A 8DFN 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.3mOhm @ 23.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.9nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1470pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 46W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存8,784
GKI04101 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 40V 9A 8DFN 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.3mOhm @ 18.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 990pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,484
GKI06071 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 11A 8DFN 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 34A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3810pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 77W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,438
GKI06109 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.9mOhm @ 23.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2520pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 59W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,570
GKI06185 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 7A 8DFN 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 15.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1510pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 46W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,762
GKI06259 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 6A 8DFN 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 12.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 40W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,714
GKI07113 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 9A 8DFN 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.1mOhm @ 27.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4040pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 77W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存3,690
GKI07174 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 26A 8DFN 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta), 26A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 18.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2520pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 59W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存5,022
GKI07301 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 75V 6A 8DFN 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23.2mOhm @ 12.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1580pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 46W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,538
GKI10194 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 7A 8DFN 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.6mOhm @ 20.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3990pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 77W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存6,408
GKI10301 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 5A 8DFN 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 14.2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.8nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2540pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 59W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存7,722
GKI10526 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 4A 8DFN 制造商: Sanken 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 47.7mOhm @ 9.3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 350µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1530pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 46W (Tc) 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-DFN (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存2,214
GP1M003A040CG Global Power Technologies Group	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 2A DPAK 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存2,160
GP1M003A040PG Global Power Technologies Group	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 2A IPAK 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.7nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 30W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存8,694
GP1M003A050CG Global Power Technologies Group	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 1.25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 395pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存7,650
GP1M003A050FG Global Power Technologies Group	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 1.25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 395pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 17.3W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存5,418
GP1M003A050HG Global Power Technologies Group	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 1.25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 395pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 52.1W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,986
GP1M003A050PG Global Power Technologies Group	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 1.25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 395pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 52W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存8,928
GP1M003A080CH Global Power Technologies Group	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 3A DPAK 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 696pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak) 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存8,496
GP1M003A080FH Global Power Technologies Group	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 3A TO220F 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 696pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 32W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存8,550
GP1M003A080H Global Power Technologies Group	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 3A TO220 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 696pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存3,508
GP1M003A080PH Global Power Technologies Group	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 800V 3A IPAK 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 696pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存3,870
GP1M003A090C Global Power Technologies Group	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.1Ohm @ 1.25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 748pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存3,726
GP1M003A090PH Global Power Technologies Group	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.1Ohm @ 1.25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 748pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 94W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: I-PAK 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	庫存8,154
GP1M004A090FH Global Power Technologies Group	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 4A TO220F 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 955pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 38.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220F 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack	庫存4,734
GP1M004A090H Global Power Technologies Group	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 900V 4A TO220 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 955pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 123W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220 包裝/箱: TO-220-3	庫存4,824
GP1M005A040CG Global Power Technologies Group	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 1.7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.1nC @ 10V Vgs（最大）: ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 522pF @ 25V FET功能: - 功耗（最大值）: 50W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: D-Pak 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	庫存6,084

GKI03080

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1030pF @ 15V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,214

GKI04031

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 17A 8DFN

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 51A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 63.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3910pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 77W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,964

GKI04048

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 14A 8DFN

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2410pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 59W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,730

GKI04076

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 11A 8DFN

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.3mOhm @ 23.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1470pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存8,784

GKI04101

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 9A 8DFN

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.3mOhm @ 18.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 990pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,484

GKI06071

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 11A 8DFN

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6mOhm @ 34A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3810pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 77W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,438

GKI06109

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 9A 8DFN

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.9mOhm @ 23.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2520pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 59W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,570

GKI06185

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 7A 8DFN

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1510pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,762

GKI06259

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 6A 8DFN

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 40W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,714

GKI07113

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 9A 8DFN

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.1mOhm @ 27.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4040pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 77W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存3,690

GKI07174

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 26A 8DFN

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta), 26A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 18.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2520pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 59W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存5,022

GKI07301

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 6A 8DFN

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23.2mOhm @ 12.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1580pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,538

GKI10194

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 7A 8DFN

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17.6mOhm @ 20.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 55.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3990pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 77W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存6,408

GKI10301

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 5A 8DFN

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28mOhm @ 14.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 650µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35.8nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2540pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 59W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存7,722

GKI10526

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 4A 8DFN

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 47.7mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 350µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1530pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-DFN (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存2,214

GP1M003A040CG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

制造商: Global Power Technologies Group
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存2,160

GP1M003A040PG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

制造商: Global Power Technologies Group
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.7nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 210pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 30W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存8,694

GP1M003A050CG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

制造商: Global Power Technologies Group
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 395pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存7,650

GP1M003A050FG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

制造商: Global Power Technologies Group
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 395pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 17.3W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存5,418

GP1M003A050HG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

制造商: Global Power Technologies Group
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 395pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 52.1W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,986

GP1M003A050PG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

制造商: Global Power Technologies Group
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.8Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 395pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 52W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存8,928

GP1M003A080CH

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

制造商: Global Power Technologies Group
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 696pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: TO-252, (D-Pak)
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存8,496

GP1M003A080FH

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

制造商: Global Power Technologies Group
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 696pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 32W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存8,550

GP1M003A080H

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 3A TO220

制造商: Global Power Technologies Group
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 696pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存3,508

GP1M003A080PH

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

制造商: Global Power Technologies Group
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 696pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存3,870

GP1M003A090C

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

制造商: Global Power Technologies Group
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.1Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 748pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存3,726

GP1M003A090PH

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

制造商: Global Power Technologies Group
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.1Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 748pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 94W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: I-PAK
包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

庫存8,154

GP1M004A090FH

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

制造商: Global Power Technologies Group
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 955pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 38.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220F
包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

庫存4,734

GP1M004A090H

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V 4A TO220

制造商: Global Power Technologies Group
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 955pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 123W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220
包裝/箱: TO-220-3

庫存4,824

GP1M005A040CG

Global Power Technologies Group

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

制造商: Global Power Technologies Group
系列: -
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.6Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.1nC @ 10V
Vgs（最大）: ±30V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 522pF @ 25V
FET功能: -
功耗（最大值）: 50W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: D-Pak
包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

庫存6,084

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