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US6M11TR

US6M11TR

僅供參考

型號 US6M11TR
PNEDA編號 US6M11TR
描述 MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 12 - 六月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

US6M11TR資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號US6M11TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
US6M11TR, US6M11TR數據表 (總頁數: 8, 大小: 197.92 KB)
PDFUS6M11TR數據表 封面
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US6M11TR規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V, 12V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.5A, 1.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs180mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.8nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds110pF @ 10V
功率-最大1W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝TUMT6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

61mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

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Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

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57nC @ 4.5V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

305pF @ 15V

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