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SH8M11TB1

SH8M11TB1

僅供參考

型號 SH8M11TB1
PNEDA編號 SH8M11TB1
描述 MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,628
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 9 - 五月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SH8M11TB1資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SH8M11TB1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
SH8M11TB1, SH8M11TB1數據表 (總頁數: 11, 大小: 617.32 KB)
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SH8M11TB1規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs98mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.9nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds85pF @ 10V
功率-最大2W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1360pF @ 15V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

470pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 19µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

560pF @ 25V

功率-最大

51W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

415pF @ 6V

功率-最大

2.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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