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FDMD86100

FDMD86100

僅供參考

型號 FDMD86100
PNEDA編號 FDMD86100
描述 MOSFET 2N-CH 100V
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,466
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 22 - 五月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMD86100資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMD86100
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDMD86100, FDMD86100數據表 (總頁數: 8, 大小: 340.39 KB)
PDFFDMD86100數據表 封面
FDMD86100數據表 頁面 2 FDMD86100數據表 頁面 3 FDMD86100數據表 頁面 4 FDMD86100數據表 頁面 5 FDMD86100數據表 頁面 6 FDMD86100數據表 頁面 7 FDMD86100數據表 頁面 8

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FDMD86100規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Source
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A
Rds On(Max)@ Id,Vgs10.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2060pF @ 50V
功率-最大2.2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerWDFN
供應商設備包裝8-Power 5x6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

320pF @ 10V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A, 2.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

66mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A, 4.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17.5A, 25A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1570pF @ 13V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1190pF @ 10V

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